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刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

烧结

烧结是把印刷到电池片表面的电极在高温下烧结，使电极和硅片本身形成欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子，使电极的接触具有电阻特性以达到高转效率，烧结过程中也可利于PECVD工艺所引入－H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。

烧结方式：高温快速烧结，加热方式：红外线加热

烧结是集扩散、流动和物理化学反应综合作用的一个过程，正面Ag穿过SiNH扩散进硅但不可到达P-N面，背面Ag、Al扩散进硅，由于需要形成合金需要到一定的温度，Ag、Al与Si形成合金的稳定又不同，就需要设定不同的温度来分别实现合金化。

电路板清洗技术

水清洗的缺点是：

1） 在水资源紧缺的地区，由于该清洗方法需要消耗大量的水资源，从而受到当地自然条件的限制；

2） 部分元件不能用水清洗，金属零件容易生锈；

3） 表面张力大，清洗细小缝隙有困难，对残留的表面活性剂很难去除；

4） 干燥难，能耗较大；

5） 设备成本高，需要废水处理装置，设备占地面积较大。